存储器分类

RAM

断电后数据消失

功耗不好比较。

DRAM 和 CPU 异步通信，SDRAM 与 CPU 同步通信，使用 CPU 系统总线时钟同步。

DDRAM 是 DDR SDRAM。

DRAM 已经被淘汰了。

ROM

断电后数据仍保存。

页：Page

扇区：Sector

块：Block

一般块比扇区大。

为什么 NorFlash 和 NandFlash 写入数据时要擦除？

• 如果写入的地址或页原来是空白的，那直接写入就行了。

• 如果写入的地址或页已经有数据了，那必须先擦除，因为写入只能将1变为0。让0变为1的唯一操作是擦除。擦除会让所有位变为1

EEPROM 支持直接覆盖写入，不需要先擦除。

EEPROM 跨页注意：

超过一页会从这一页的开头覆盖，比如一页是8个字节，写入10个字节，第9、10个数据覆盖了第1、2个数据。

这种覆盖是静默发生的，芯片不会报错，所以单片机不会感知到，所以需要注意。

这是eeprom的硬件限制，因为其内部的地址计数器只有3位，正好0~7，所以过了7会回到0.

EMMC 可以简单理解为芯片形式的SD卡，eMMC将 NAND闪存、闪存控制器和标准接口协议集成在一颗BGA封装芯片中，直接焊接在主板上。常用于嵌入式系统存储系统镜像。

DRAM

芯片区别：

SDRAM

常用芯片

• W9825G6KH-6：32MB

• MT48LC16M16A2P-6A IT:G：32MB

• IS42S16400J-7TLI：8MB

SDRAM 信号线

以 W9825G6KH-6 为例：

W9825G6KH-6 芯片参数：

DQM = 0，读写操作正常；DQM = 1，读写操作被屏蔽。

• DQM[0] 控制低字节 0 ~ 7

• DQM[1] 控制高字节 8 ~ 15

相比于$\overline{WE}$，DQM能更细粒度的控制数据的写入和读取操作。

实际应用中，有时候只需要操作8位数据，通过DQM就能实现8位/16位数据切换了。

SDRAM 存储结构

这个芯片一共有4个Bank（存储阵列），这4个Bank共用行列地址译码器。

通常芯片只有4个Bank

通过行列地址确定的是一个word（16bit）。W9825G6KH-6的一个Bank有16M个word，16M * 16 bits * 4 = 32MB

SDRAM 控制命令

（表中的H表示高电平，L表示低电平，X表示任意电平，High-Z表示高阻态。）

SDRAM 初始化流程

SDRAM 读时序

SDRAM 写时序

DDR

SDRAM 时钟仅上升沿，DDR 时钟为双边沿。

带宽=数据位宽×有效传输速率

高带宽，并不一定是高频率，还要考虑位宽。

高带宽不等于低延迟

DDR3

DDR3L

DDR3U

TPS51116 全套 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 电源解决方案同步降压控制器、3A LDO、缓冲基准 datasheet (Rev. J)

引脚定义

DDR3：

SD Card

读写以扇区为单位，一个扇区 512 字节。

EMMC

引脚介绍

封装通常为 BGA153

• CLK：时钟

• CMD：命令/响应，用于控制。

• RSTN：复位，低电平有效。

• Data Strobe：8线制高速下使用

电源：

• VCC：Flash 存储单元供电

• VCCQ：存储控制器/IO接口供电

• VDDI：

• VSS：

• VSSQ：

EMMC 总线模式：

存储结构

电路设计

PCB 布局布线要求

(94 封私信 / 80 条消息) EMMC模块电路的PCB设计建议 - 知乎

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